色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > PTFA082201E V1

PTFA082201E V1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: H-36260-2
數(shù)量：: 5436
說明：: IC FET RF LDMOS 220W H-36260-2

一、本商品被瀏覽0次.

PTFA082201E V1 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
封裝：H-36260-2
封裝/外殼：H-36260-2
安裝類型：底座安裝
電壓 - 額定：65 V
功率 - 輸出：220W
電流 - 測試：1.95 A
噪聲系數(shù)：-
額定電流（安培）：10μA
電壓 - 測試：30 V
增益：18dB
頻率：894MHz
配置：-
技術(shù)：LDMOS
產(chǎn)品狀態(tài)：Digi-Key 停止提供
包裝：-
系列：托盤
品牌：Infineon Technologies

以上是PTFA082201E V1的詳細(xì)信息，包括PTFA082201E V1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1