色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 射頻半導體 > 晶體管射頻 > 射頻MOSFET電源晶體管 > PTFA091201F V4

PTFA091201F V4

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: H-37248-2
數量：: 5508
說明：: 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8

一、本商品被瀏覽0次.

PTFA091201F V4 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：FA091201FV4XP PTFA091201FV4XWSA1 SP000317909
工廠包裝數量：50
系列：PTFA091201
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.07 Ohms
功率耗散：427 W
安裝風格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 40 C
包裝形式：Tray
封裝形式：H-37248-2
最大工作溫度：+ 150 C
閘/源擊穿電壓：12 V
漏極連續電流：750 mA
汲極/源極擊穿電壓：65 V
輸出功率：120 W
增益：19 dB
頻率：920 MHz to 960 MHz
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
產品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：Infineon

以上是PTFA091201F V4的詳細信息，包括PTFA091201F V4廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管射頻產品：

射頻硅鍺晶體管射頻雙極小信號晶體管射頻JFET晶體管射頻雙極電源晶體管射頻MOSFET小信號晶體管