色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 射頻半導體 > 晶體管射頻 > 射頻MOSFET電源晶體管 > PTFA082201E V4 R250

PTFA082201E V4 R250

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: H-36260-2
數量：: 5454
說明：: 射頻MOSFET電源晶體管 Hi Pwr RF LDMOS FET 220 W 869-894 MHZ

一、本商品被瀏覽0次.

PTFA082201E V4 R250 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：FA082201EV4R25XT PTFA082201EV4R250XTMA1 SP000408200
工廠包裝數量：250
系列：PTFA082201
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.04 Ohms at 10 V (Typ)
功率耗散：700 W
安裝風格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 40 C
包裝形式：Reel
封裝形式：H-36260-2
最大工作溫度：+ 150 C
閘/源擊穿電壓：12 V
漏極連續電流：1.95 A
汲極/源極擊穿電壓：65 V
輸出功率：220 W
增益：18 dB
頻率：869 MHz to 894 MHz
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
產品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：Infineon

以上是PTFA082201E V4 R250的詳細信息，包括PTFA082201E V4 R250廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管射頻產品：

射頻硅鍺晶體管射頻雙極小信號晶體管射頻JFET晶體管射頻雙極電源晶體管射頻MOSFET小信號晶體管