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PTFA082201EV1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: H-36260-2
數量：: 2619
說明：: 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8

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PTFA082201EV1 PDF參數資料

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中文參數如下：

功率耗散：700 W
安裝風格：SMD/SMT
包裝形式：Tray
封裝形式：H-36260-2
最大工作溫度：+ 150 C
閘/源擊穿電壓：12 V
漏極連續電流：1.95 A
汲極/源極擊穿電壓：65 V
輸出功率：220 W
增益：18 dB
頻率：869 MHz to 894 MHz
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
產品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：Infineon

以上是PTFA082201EV1的詳細信息，包括PTFA082201EV1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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