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PTFA091201E V4 R250

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: H-36248-2
數(shù)量：: 5499
說明：: 射頻MOSFET電源晶體管 Hi Pwr RF LDMOS FET 120 W 920-960 MHz

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PTFA091201E V4 R250 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：FA091201EV4R25XT PTFA091201EV4R250XTMA1 SP000387060
工廠包裝數(shù)量：250
系列：PTFA091201
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.07 Ohms at 10 V (Typ)
功率耗散：427 W
安裝風格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 40 C
包裝形式：Reel
封裝形式：H-36248-2
最大工作溫度：+ 150 C
閘/源擊穿電壓：12 V
漏極連續(xù)電流：750 mA
汲極/源極擊穿電壓：65 V
輸出功率：120 W
增益：19 dB
頻率：920 MHz to 960 MHz
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：Infineon

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