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PTFA091201E V4 R250

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 H-36248-2
數量:
 5499  
說明:
 射頻MOSFET電源晶體管 Hi Pwr RF LDMOS FET 120 W 920-960 MHz
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PTFA091201E V4 R250 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:FA091201EV4R25XT PTFA091201EV4R250XTMA1 SP000387060
工廠包裝數量:250
系列:PTFA091201
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.07 Ohms at 10 V (Typ)
功率耗散:427 W
安裝風格:SMD/SMT
最小工作溫度:- 40 C
包裝形式:Reel
封裝形式:H-36248-2
最大工作溫度:+ 150 C
閘/源擊穿電壓:12 V
漏極連續電流:750 mA
汲極/源極擊穿電壓:65 V
輸出功率:120 W
增益:19 dB
頻率:920 MHz to 960 MHz
晶體管極性:N-Channel
配置:Single
產品種類:射頻MOSFET電源晶體管
制造商:Infineon

以上是PTFA091201E V4 R250的詳細信息,包括PTFA091201E V4 R250廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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