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IPB10N03LBG

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-263
數(shù)量:
 6516  
說明:
 MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
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IPB10N03LBG PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:18 ns
上升時間:4 ns
功率耗散:58 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:3 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):14.7 m Ohms
漏極連續(xù)電流:50 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPB10N03LBG的詳細(xì)信息,包括IPB10N03LBG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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