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IPB11N03LA G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數量:
 1845  
說明:
 MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
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IPB11N03LA G-TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB圖片

IPB11N03LA G PDF參數資料

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中文參數如下:

FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:邏輯電平門
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:11.2 毫歐 @ 30A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):25V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:30A
Id 時的 Vgs(th)(最大):2V @ 20µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:11nC @ 5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :1358pF @ 15V
功率 - 最大:52W
安裝類型:表面貼裝

以上是IPB11N03LA G的詳細信息,包括IPB11N03LA G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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