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IPB120N04S3-02

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數(shù)量:
 1854  
說明:
 MOSFET OPTIMOS-T POWER-TRAN 40V 120A
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IPB120N04S3-02 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:IPB120N04S302ATMA1 IPB120N04S302XT SP000261216
典型關閉延遲時間:57 ns
上升時間:19 ns
功率耗散:300 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:18 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):2 m Ohms
漏極連續(xù)電流:120 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:40 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPB120N04S3-02的詳細信息,包括IPB120N04S3-02廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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