色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

IPB123N10N3 G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-263-3
數量:
 1899  
說明:
 MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
暫無電子元件圖

IPB123N10N3 G PDF參數資料

PDF點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:

零件號別名:IPB123N10N3GATMA1 IPB123N10N3GXT SP000485968
典型關閉延遲時間:24 ns
工廠包裝數量:1000
上升時間:8 ns
功率耗散:94 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:26 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :57 S, 29 S
下降時間:5 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263-3
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):12.3 mOhms
漏極連續電流:58 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPB123N10N3 G的詳細信息,包括IPB123N10N3 G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

相近型號推薦

IC電子元件郵購步驟

最新產品列表 IC
主站蜘蛛池模板: 黔江区| 尉犁县| 钦州市| 西城区| 铜陵市| 许昌县| 东明县| 新昌县| 松阳县| 彭水| 棋牌| 伊春市| 肇庆市| 独山县| 奇台县| 麦盖提县| 鄂温| 班玛县| 东山县| 平和县| 资源县| 鄂伦春自治旗| 宜川县| 中牟县| 商河县| 万州区| 兴义市| 宁化县| 华亭县| 孝义市| 榆林市| 盐城市| 镇原县| 临泽县| 古蔺县| 河源市| 山西省| 太和县| 德化县| 卢氏县| 城固县|