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IPB13N03LB

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數(shù)量：: 4545
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK

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IPB13N03LB PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)邏輯電平門
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C12.5 毫歐 @ 30A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2V @ 20µA
閘電荷(Qg) @ Vgs11nC @ 5V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C30A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 1355pF @ 15V
功率 - 最大52W
安裝類型表面貼裝

以上是IPB13N03LB的詳細(xì)信息，包括IPB13N03LB廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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