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IPB14N03LAT

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO263-3-2
數(shù)量：: 1989
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

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IPB14N03LAT PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：邏輯電平門
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：13.6 毫歐 @ 30A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：25V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：30A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：2V @ 20µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：8.3nC @ 5V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：1043pF @ 15V
功率 - 最大：46W
安裝類型：表面貼裝

以上是IPB14N03LAT的詳細(xì)信息，包括IPB14N03LAT廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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