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IPB12CNE8N G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-TO263-3
數量:
 1917  
說明:
 MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 67A
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IPB12CNE8N G-PG-TO263-3圖片

IPB12CNE8N G PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:IPB12CNE8NGXT
典型關閉延遲時間:32 ns
工廠包裝數量:1000
上升時間:21 ns
功率耗散:125 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:8 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.0129 Ohms
漏極連續電流:67 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:85 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPB12CNE8N G的詳細信息,包括IPB12CNE8N G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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