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IPB120N06N G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數(shù)量:
 1863  
說明:
 MOSFET N-CH 60V 75A
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IPB120N06N G-TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB圖片

IPB120N06N G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:IPB120N06NGXT
典型關(guān)閉延遲時間:34 ns
工廠包裝數(shù)量:1
上升時間:27 ns
功率耗散:158 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:26 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.0117 Ohms
漏極連續(xù)電流:75 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPB120N06N G的詳細信息,包括IPB120N06N G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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