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IPB120N04S302

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-263
數量:
 4842  
說明:
 MOSFET
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IPB120N04S302 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:57 ns
工廠包裝數量:1000
上升時間:19 ns
功率耗散:300 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:18 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):2 m Ohms
漏極連續電流:120 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:40 V
晶體管極性:N-Channel
制造商:Infineon

以上是IPB120N04S302的詳細信息,包括IPB120N04S302廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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