| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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TPN22006NH,LQ | Toshiba | 8-PowerVDFN | MOSFET N-Ch 60V 21A 18W UMOSVIII 710pF 12nC | ||
| 參數(shù)：制造商：Toshiba，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：21 A，電阻汲極/... | ||||||
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TPN2R503NC,L1Q | Toshiba | 8-PowerVDFN | MOSFET N-Ch 30V 2230pF 40nC 2.5mOhm 85A 35W | ||
| 參數(shù)：制造商：Toshiba，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：85 A，電阻汲極/... | ||||||
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TPN30008NH,LQ | Toshiba | 8-PowerVDFN | MOSFET N-Ch 80V 22A 27W UMOSVIII 710pF 11nC | ||
| 參數(shù)：制造商：Toshiba，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：22 A，電阻汲極/... | ||||||
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TPN3300ANH,LQ | Toshiba | 8-PowerVDFN | 10,424 | MOSFET N-Ch 100V 21A 27W UMOSVIII 680pF 11nC | |
| 參數(shù)：制造商：Toshiba，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：21 A，電阻汲極... | ||||||
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TPN6R303NC,LQ | Toshiba | 8-TSON Advance（3.1x3.1） | MOSFET N-Ch 30V 1370pF 24nC 6.3mOhm 43A 19W | ||
| 參數(shù)：制造商：Toshiba，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：43 A，電阻汲極/... | ||||||
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TPS1100D | Texas Instruments | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 369 | MOSFET MOSFET 10ns RT | |
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 15 V，閘/源擊穿電... | ||||||
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TPS1100DG4 | Texas Instruments | SOIC-8 | MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：15 V，閘/源擊穿電壓：... | ||||||
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TPS1100DR | Texas Instruments | 8-SOIC | MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：15 V，閘/源擊穿電壓：... | ||||||
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TPS1100DRG4 | Texas Instruments | SOIC-8 | MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：15 V，閘/源擊穿電壓：... | ||||||
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TPS1100PW | Texas Instruments | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） | 555 | MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET | |
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：15 V，閘/源擊穿電壓：... | ||||||
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TPS1100PWG4 | Texas Instruments | TSSOP-8 | MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：15 V，閘/源擊穿電壓：... | ||||||
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TPS1100PWR | Texas Instruments | 8-TSSOP | MOSFET NPN Enh Mode | ||
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 15 V，閘/源擊穿電... | ||||||
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TPS1100PWRG4 | Texas Instruments | TSSOP-8 | MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：15 V，閘/源擊穿電壓：... | ||||||
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TPS1101D | Texas Instruments | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：15 V，閘/源擊穿電壓：... | ||||||
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TPS1101DG4 | Texas Instruments | SOIC-8 | MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：15 V，閘/源擊穿電壓：... | ||||||
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TPS1101DR | Texas Instruments | 8-SOIC | MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：15 V，閘/源擊穿電壓：... | ||||||
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TPS1101DRG4 | Texas Instruments | SOIC-8 | MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：15 V，閘/源擊穿電壓：... | ||||||
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TPS1101PWR | Texas Instruments | 16-TSSOP | MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：15 V，閘/源擊穿電壓：... | ||||||
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TPS1101PWRG4 | Texas Instruments | TSSOP-16 | MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：15 V，閘/源擊穿電壓：... | ||||||
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TPS1120D | Texas Instruments | 8-SOIC | MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：15 V，閘/源擊穿電壓：... | ||||||
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