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TPS1101DRG4

廠家：: Texas Instruments
封裝：: SOIC-8
數量：: 7146
說明：: MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET

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TPS1101DRG4 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：19 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：5.5 ns
功率耗散：791 mW
最小工作溫度：- 40 C
下降時間：5.5 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 125 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：90 mOhms (Typ)
漏極連續電流：2.3 A
閘/源擊穿電壓：- 15 V, 2 V
汲極/源極擊穿電壓：15 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Texas Instruments

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