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中文參數(shù)如下：
：150°C
功率耗散（最大值）：20W（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3610 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±12V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：37 nC @ 4 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：4.3 毫歐 @ 13.5A，8V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，8V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：27A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：20 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：托盤
品牌：Renesas Electronics America Inc
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