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TPS1100DR

廠家:
  Texas Instruments
封裝:
 8-SOIC
數量:
 7047  
說明:
 MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
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TPS1100DR-8-SOIC圖片

TPS1100DR PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:13 ns
工廠包裝數量:2500
上升時間:10 ns
功率耗散:791 mW
最小工作溫度:- 40 C
下降時間:10 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 125 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):400 mOhms at 4.5 V
漏極連續電流:1.6 A
閘/源擊穿電壓:- 15 V, 2 V
汲極/源極擊穿電壓:15 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Texas Instruments

以上是TPS1100DR的詳細信息,包括TPS1100DR廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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