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TPS1101D

廠家:
  Texas Instruments
封裝:
 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
數(shù)量:
 7119  
說明:
 MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
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TPS1101D-8-SOIC(0.154

TPS1101D PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:19 ns
工廠包裝數(shù)量:75
上升時間:5.5 ns
功率耗散:791 mW
最小工作溫度:- 40 C
下降時間:5.5 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:SOIC-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 125 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):90 mOhms (Typ)
漏極連續(xù)電流:2.3 A
閘/源擊穿電壓:- 15 V, 2 V
汲極/源極擊穿電壓:15 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Texas Instruments

以上是TPS1101D的詳細(xì)信息,包括TPS1101D廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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