色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > TPN6R303NC,LQ

TPN6R303NC,LQ

廠家：: Toshiba
封裝：: 8-TSON Advance（3.1x3.1）
數量：: 4374
說明：: MOSFET N-Ch 30V 1370pF 24nC 6.3mOhm 43A 19W

一、本商品被瀏覽0次.

TPN6R303NC,LQ PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：55 ns
上升時間：6 ns
功率耗散：19 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：24 nC
下降時間：14 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSON-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：5.2 mOhms
漏極連續電流：43 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Toshiba

以上是TPN6R303NC,LQ的詳細信息，包括TPN6R303NC,LQ廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：