| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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CTLDM304P-M832DS TR | Central Semiconductor | TLM832DS | 2,961 | MOSFET SMD Sm Signal Mosfet Dual P-Ch Enhanced | |
| 參數(shù)：制造商：Central Semiconductor，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：12 V，漏極連... | ||||||
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CTLDM3590 TR | Central Semiconductor | 3-XFDFN | 9,487 | MOSFET SMD Sm Signal Mosfet N-Channel Enh Mode | |
| 參數(shù)：制造商：Central Semiconductor，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：8 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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CTLDM7002A-M621 | Central Semiconductor | TLM621 | 2000 | MOSFET N-Channel Small Signal Mosfet | |
| 參數(shù)：制造商：Central Semiconductor，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：40 V，漏極連... | ||||||
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CTLDM7590 TR | Central Semiconductor | 3-XFDFN | 8,989 | MOSFET SMD Sm Signal Mosfet P-Channel Enh Mode | |
| 參數(shù)：制造商：Central Semiconductor，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：8 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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CSD25201W15 | Texas Instruments | 9-DSBGA | MOSFET P-Channel NexFET Pwr MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電... | ||||||
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CSD25211W1015 | Texas Instruments | 6-DSBGA（1x1.5） | 393 | MOSFET PCh NexFET Power MOSFET | |
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電... | ||||||
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CSD25301W1015 | Texas Instruments | 6-UFBGA，DSBGA | MOSFET P-Ch NexFET Power MOSFETs | ||
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：... | ||||||
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CSD25302Q2 | Texas Instruments | 6-SON | MOSFET PCh NexFET Pwr MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電... | ||||||
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CSD25303W1015 | Texas Instruments | 6-UFBGA，DSBGA | MOSFET PCh NexFET Pwr MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電... | ||||||
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CSD25401Q3 | Texas Instruments | 8-PowerTDFN | MOSFET P-Ch NexFET Power MOSFETs | ||
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電... | ||||||
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CSD75204W15 | Texas Instruments | 9-DSBGA | MOSFET Dual PCh NexFET Pwr MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電... | ||||||
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CSD75205W1015 | Texas Instruments | 6-DSBGA（1x1.5） | MOSFET Dual PCh NexFET Pwr MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電... | ||||||
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CSD75211W1723 | Texas Instruments | 12-DSBGA | MOSFET Dual N-Channel Nex FET Power MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：... | ||||||
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CSD75301W1015 | Texas Instruments | 6-DSBGA（1x1.5） | MOSFET P-Ch-Dual Common Source Pwr MOSFETs | ||
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：... | ||||||
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CSD86311W1723 | Texas Instruments | 12-DSBGA | MOSFET Dual P-Channel Nex FET Pwr MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：... | ||||||
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CSD86330Q3D | Texas Instruments | 8-LSON（3.3x3.3） | 1,242 | MOSFET Sync Buck NexFET Pwr Block MOSFET | |
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，電阻汲極/源極 ... | ||||||
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CSD86350Q5D | Texas Instruments | 8-LSON（5x6） | 2,905 | MOSFET Synch Buck NexFET Pwr Block MOSFET | |
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：... | ||||||
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CSD87312Q3E | Texas Instruments | 8-VSON（3.3x3.3） | 2,933 | MOSFET Dual 30V N-CH NexFET Pwr MOSFETs | |
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，漏極連續(xù)電流：27 A，電阻汲極/源極 ... | ||||||
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CSD87330Q3D | Texas Instruments | 8-LSON（3.3x3.3） | 35,206 | MOSFET 30V Sync Buck NexFET Power Block | |
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：... | ||||||
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CSD87331Q3D | Texas Instruments | 8-LSON（5x6） | MOSFET 30V Sync Buck NexFET Power Block | ||
| 參數(shù)：制造商：Texas Instruments，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：... | ||||||
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