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CSD87312Q3E

廠家：: Texas Instruments
封裝：: 8-VSON（3.3x3.3）
數量：: 4436
說明：: MOSFET Dual 30V N-CH NexFET Pwr MOSFETs

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CSD87312Q3E PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：17 ns
商標名：NexFET
上升時間：16 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：6.3 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：39 S
下降時間：2.8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：VSON-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：31 mOhms
漏極連續電流：27 A
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Texas Instruments

以上是CSD87312Q3E的詳細信息，包括CSD87312Q3E廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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