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CSD75211W1723

廠家:
  Texas Instruments
封裝:
 12-DSBGA
數(shù)量:
 72  
說(shuō)明:
 MOSFET Dual N-Channel Nex FET Power MOSFET
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CSD75211W1723-12-DSBGA圖片

CSD75211W1723 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

商標(biāo)名:NexFET
工廠包裝數(shù)量:3000
上升時(shí)間:4.1 ns
功率耗散:1.5 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:1.6 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:DSBGA-12
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):39 mOhms
漏極連續(xù)電流:4.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Texas Instruments

以上是CSD75211W1723的詳細(xì)信息,包括CSD75211W1723廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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