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CSD25211W1015

廠家：: Texas Instruments
封裝：: 6-DSBGA（1x1.5）
數量：: 1761
說明：: MOSFET PCh NexFET Power MOSFET

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CSD25211W1015 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：36.9 ns
商標名：NexFET
工廠包裝數量：3000
上升時間：8.8 ns
功率耗散：1 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：3.4 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：12 S
下降時間：14.2 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：WCSP-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：27 mOhms
漏極連續電流：- 3.2 A
閘/源擊穿電壓：- 6 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Texas Instruments

以上是CSD25211W1015的詳細信息，包括CSD25211W1015廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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