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CSD25302Q2

廠家：: Texas Instruments
封裝：: 6-SON
數(shù)量：: 5958
說明：: MOSFET PCh NexFET Pwr MOSFET

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CSD25302Q2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：8.6 ns
商標(biāo)名：NexFET
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：13.2 ns
功率耗散：2.4 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：2.6 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：12.3 S
下降時間：1.3 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SON-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：49 mOhms
漏極連續(xù)電流：- 5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Texas Instruments

以上是CSD25302Q2的詳細(xì)信息，包括CSD25302Q2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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