| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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NE34018-T1-64-A | NEC/CEL | SOT-343 | 射頻GaAs晶體管 L-S Band Lo No Amp | ||
| 參數(shù)：CEL|卷帶（TR）|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|2GHz|16dB|2 V|120mA|0.6dB|5 mA|12dBm|4 V|表面貼裝型|SC-... | ||||||
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NE34018-T1-A | NEC/CEL | SOT-343 | 射頻GaAs晶體管 L-S Band Lo No Amp | ||
| 參數(shù)：CEL|卷帶（TR）,剪切帶（CT）|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|2GHz|16dB|2 V|120mA|0.6dB|5 mA|12dBm|4 V|表... | ||||||
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NE350184C | CEL | 84C | 射頻GaAs晶體管 Low Noise HJ FET | ||
| 參數(shù)：CEL|散裝|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|20GHz|13.5dB|2 V|70mA|0.7dB|10 mA|-|4 V|-|微型-X 陶瓷 84C|... | ||||||
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NE350184C-A | NEC/CEL | Micro-X Ceramic (84 C) | 射頻GaAs晶體管 Low Noise HJ FET | ||
| 參數(shù)：制造商：NEC，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：HEMT，頻率：20 GHz，增益：13.5 dB，噪聲系數(shù)：0.7 dB，正向跨導(dǎo) gF... | ||||||
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NE350184C-T1 | CEL | Micro-X Ceramic (84 C) | 射頻GaAs晶體管 Low Noise HJ FET | ||
| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：HEMT，頻率：20 GHz，增益：13.5 dB，噪聲系數(shù)：0.7 dB，正向跨導(dǎo) gF... | ||||||
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NE350184C-T1A | CEL | Micro-X Ceramic (84 C) | 射頻GaAs晶體管 Low Noise HJ FET | ||
| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：HEMT，頻率：20 GHz，增益：13.5 dB，噪聲系數(shù)：0.7 dB，正向跨導(dǎo) gF... | ||||||
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NE3503M04-A | CEL | M04 | 射頻GaAs晶體管 Low Noise HJ FET | ||
| 參數(shù)：CEL|散裝|-|Digi-Key 停止提供|GaAs HJ-FET|-|12GHz|12dB|2 V|70mA|0.45dB|10 mA|-|4 V|-|SO... | ||||||
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NE3503M04-T2-A | CEL | M04 | 射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET | ||
| 參數(shù)：CEL|卷帶（TR）|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|12GHz|12dB|2 V|70mA|0.45dB|10 mA|-|4 V|-|SOT-343F|... | ||||||
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NE3508M04-A | CEL | F4TSMM，M04 | 射頻GaAs晶體管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET | ||
| 參數(shù)：CEL|散裝|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|2GHz|14dB|2 V|120mA|0.45dB|10 mA|18dBm|4 V|-|SOT-343F|... | ||||||
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NE3508M04-EVNF23 | CEL | FTSMM-4 (M04) | 射頻GaAs晶體管 SPR LW Noise Pseudo HJ FET EVAL Fixt | ||
| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：HEMT，頻率：2 GHz，增益：14 dB，噪聲系數(shù)：0.45 dB，正向跨導(dǎo) gFS（... | ||||||
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NE71300 | CEL | CHIP | 射頻GaAs晶體管 Ku-K Band MESFET OBSOLETE BY MFG | ||
| 參數(shù)：制造商：CEL，RoHS：否，技術(shù)類型：MESFET，頻率：12 GHz，增益：9.5 dB，噪聲系數(shù)：1.6 dB，正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：50... | ||||||
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FH1-G | TriQuint Semiconductor | SOT-89 | 424 | 射頻GaAs晶體管 50-4000MHz +21dBm P1dB | |
| 參數(shù)：制造商：TriQuint，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：MESFET，頻率：50 MHz to 4 GHz，增益：18 dB，噪聲系數(shù)：... | ||||||
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CFH800 | TriQuint Semiconductor | SC70 | 164 | 射頻GaAs晶體管 GaAs LN Transistor | |
| 參數(shù)：制造商：TriQuint，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：pHEMT，頻率：1.8 GHz，增益：17 dB，噪聲系數(shù)：0.5 dB，正向... | ||||||
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CFH400 | TriQuint Semiconductor | SOT343 | 射頻GaAs晶體管 GaAs LN Transistor | ||
| 參數(shù)：制造商：TriQuint，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：pHEMT，頻率：1.8 GHz，增益：15 dB，噪聲系數(shù)：0.55 dB，正... | ||||||
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CFY 25-20 (P) | Infineon Technologies | Micro-X | 射頻GaAs晶體管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：否，技術(shù)類型：MESFET，頻率：12 GHz，增益：9 dB，噪聲系數(shù)：1.9 dB，正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ... | ||||||
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CFY 25-20P (H) | Infineon Technologies | Micro-X | 射頻GaAs晶體管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：否，技術(shù)類型：MESFET，頻率：12 GHz，增益：9 dB，噪聲系數(shù)：1.9 dB，正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ... | ||||||
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CFY 25-20P (P) | Infineon Technologies | Micro-X | 射頻GaAs晶體管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：否，技術(shù)類型：MESFET，頻率：12 GHz，增益：9 dB，噪聲系數(shù)：1.9 dB，正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ... | ||||||
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CFY25-20 (S) | Infineon Technologies | Micro-X | 射頻GaAs晶體管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：否，技術(shù)類型：MESFET，頻率：12 GHz，增益：9 dB，噪聲系數(shù)：1.9 dB，正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ... | ||||||
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CFY25-23 (P) | Infineon Technologies | Micro-X | 射頻GaAs晶體管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：否，技術(shù)類型：MESFET，頻率：12 GHz，增益：8.7 dB，噪聲系數(shù)：2.2 dB，正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值... | ||||||
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CFY67-08 (P) | Infineon Technologies | Micro-X | 射頻GaAs晶體管 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，技術(shù)類型：pHEMT，頻率：12 GHz，增益：11.5 dB，噪聲系數(shù)：0.7 dB，正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：65 m... | ||||||
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