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CFY67-08 (P)

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 Micro-X
數量:
 1170  
說明:
 射頻GaAs晶體管
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CFY67-08 (P)-Micro-X圖片

CFY67-08 (P) PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:CFY6708PNZ CFY6708PZZZA1 SP000011453
P1dB:11 dBm
配置:Single Dual Source
封裝形式:Micro-X
安裝風格:SMD/SMT
功率耗散:200 mW
最大工作溫度:+ 150 C
漏極連續電流:60 mA
閘/源擊穿電壓:- 3 V to 0.5 V
漏源電壓 VDS:3.5 V
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :65 mS
噪聲系數:0.7 dB
增益:11.5 dB
頻率:12 GHz
技術類型:pHEMT
制造商:Infineon

以上是CFY67-08 (P)的詳細信息,包括CFY67-08 (P)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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