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CFY25-23 (P)

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 Micro-X
數量：
 8334  
說明：
 射頻GaAs晶體管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET
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CFY25-23 (P)-Micro-X圖片

CFY25-23 (P) PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：CFY2523PNZ
P1dB：15 dBm
封裝形式：Micro-X
安裝風格：SMD/SMT
功率耗散：250 mW
最大工作溫度：+ 175 C
漏極連續電流：80 mA
閘/源擊穿電壓：- 5 V to 0.5 V
漏源電壓 VDS：5 V
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：40 mS
噪聲系數：2.2 dB
增益：8.7 dB
頻率：12 GHz
技術類型：MESFET
RoHS：否
制造商：Infineon

以上是CFY25-23 (P)的詳細信息，包括CFY25-23 (P)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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