色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 射頻半導體 > 晶體管射頻 > 射頻GaAs晶體管 > CFY 25-20P (H)

CFY 25-20P (H)

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: Micro-X
數量：: 8289
說明：: 射頻GaAs晶體管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET

一、本商品被瀏覽0次.

CFY 25-20P (H) PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：CFY2520PHNZ
工廠包裝數量：1
P1dB：15 dBm
配置：Single Dual Source
封裝形式：Micro-X
安裝風格：SMD/SMT
功率耗散：250 mW
最大工作溫度：+ 175 C
漏極連續電流：80 mA
閘/源擊穿電壓：- 5 V to 0.5 V
漏源電壓 VDS：5 V
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：40 mS
噪聲系數：1.9 dB
增益：9 dB
頻率：12 GHz
技術類型：MESFET
RoHS：否
制造商：Infineon

以上是CFY 25-20P (H)的詳細信息，包括CFY 25-20P (H)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管射頻產品：

射頻MOSFET電源晶體管射頻硅鍺晶體管射頻雙極小信號晶體管射頻JFET晶體管射頻雙極電源晶體管