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NE350184C-T1

廠家：: CEL
封裝：: Micro-X Ceramic (84 C)
數量：: 3357
說明：: 射頻GaAs晶體管 Low Noise HJ FET

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NE350184C-T1 PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：5000
包裝形式：Reel
封裝形式：Micro-X Ceramic (84 C)
安裝風格：SMD/SMT
功率耗散：165 mW
最大工作溫度：+ 150 C
漏極連續電流：70 mA
閘/源擊穿電壓：- 3 V
漏源電壓 VDS：4 V
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：40 mS
噪聲系數：0.7 dB
增益：13.5 dB
頻率：20 GHz
技術類型：HEMT
RoHS：是
產品種類：射頻GaAs晶體管
制造商：CEL

以上是NE350184C-T1的詳細信息，包括NE350184C-T1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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