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NE3508M04-T2-A

廠家：
  CEL
封裝：
 F4TSMM，M04
數量：
 3375  
說明：
 射頻GaAs晶體管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET
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NE3508M04-T2-A-F4TSMM，M04圖片

NE3508M04-T2-A PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝：F4TSMM，M04
封裝/外殼：SOT-343F
安裝類型：-
電壓 - 額定：4 V
功率 - 輸出：18dBm
電流 - 測試：10 mA
噪聲系數：0.45dB
額定電流（安培）：120mA
電壓 - 測試：2 V
增益：14dB
頻率：2GHz
配置：-
技術：GaAs HJ-FET
產品狀態：停產
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：CEL

以上是NE3508M04-T2-A的詳細信息，包括NE3508M04-T2-A廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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