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NE3512S02-T1C-A

廠家:
  CEL
封裝:
 S02
數量:
 3429  
說明:
 射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
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NE3512S02-T1C-A PDF參數資料

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中文參數如下:
封裝:S02
封裝/外殼:4-SMD,扁平引線
安裝類型:-
電壓 - 額定:4 V
功率 - 輸出:-
電流 - 測試:10 mA
噪聲系數:0.35dB
額定電流(安培):70mA
電壓 - 測試:2 V
增益:13.5dB
頻率:12GHz
配置:-
技術:GaAs HJ-FET
產品狀態:停產
包裝:-
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel 得捷定制卷帶
品牌:CEL

以上是NE3512S02-T1C-A的詳細信息,包括NE3512S02-T1C-A廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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