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NE3511S02-T1C-A

廠家：: CEL
封裝：: S02
數(shù)量：: 3384
說明：: 射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET

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NE3511S02-T1C-A PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝：S02
封裝/外殼：4-SMD，扁平引線
安裝類型：-
電壓 - 額定：4 V
功率 - 輸出：-
電流 - 測試：10 mA
噪聲系數(shù)：0.3dB
額定電流（安培）：70mA
電壓 - 測試：2 V
增益：13.5dB
頻率：12GHz
配置：-
技術(shù)：GaAs HJ-FET
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶
品牌：CEL

以上是NE3511S02-T1C-A的詳細(xì)信息，包括NE3511S02-T1C-A廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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