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功率MOSFET管選擇注意事項(xiàng)

功率MOSFET管選擇注意事項(xiàng)

功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點(diǎn)，因而非常適合用作開關(guān)電源（switch-mode power supplies，SMPS）的整流組件，不過，在選用MOSFET時(shí)有一些注意事項(xiàng)。

　　功率MOSFET和雙極型晶體管不同，它的柵極電容比較大，在導(dǎo)通之前要先對(duì)該電容充電，當(dāng)電容電壓超過閾值電壓（VGS-TH）時(shí)MOSFET才開始導(dǎo)通。因此，柵極驅(qū)動(dòng)器的負(fù)載能力必須足夠大，以保證在系統(tǒng)要求的時(shí)間內(nèi)完成對(duì)等效柵極電容（CEI）的充電。

　　在計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)電流時(shí)，最常犯的一個(gè)錯(cuò)誤就是將MOSFET的輸入電容（CISS）和CEI混為一談，于是會(huì)使用下面這個(gè)公式去計(jì)算峰值柵極電流。

　　I = C(dv/dt)

　　實(shí)際上，CEI的值比CISS高很多，必須要根據(jù)MOSFET生產(chǎn)商提供的柵極電荷（QG）指標(biāo)計(jì)算。

　　QG是MOSFET柵極電容的一部分，計(jì)算公式如下：

　　QG = QGS + QGD + QOD

　　其中：

　　QG--總的柵極電荷

　　QGS--柵極-源極電荷

　　QGD--柵極-漏極電荷（Miller）

　　QOD--Miller電容充滿后的過充電荷

　　典型的MOSFET曲線如圖1所示，很多MOSFET廠商都提供這種曲線。可以看到，為了保證MOSFET導(dǎo)通，用來對(duì)CGS充電的VGS要比額定值高一些，而且CGS也要比VTH高。柵極電荷除以VGS等于CEI，柵極電荷除以導(dǎo)通時(shí)間等于所需的驅(qū)動(dòng)電流（在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通）。

　　用公式表示如下：

　　QG = (CEI)(VGS)

　　IG = QG/t導(dǎo)通

　　其中：

　　● QG 總柵極電荷，定義同上。

　　● CEI 等效柵極電容

　　● VGS 刪-源極間電壓

　　● IG 使MOSFET在規(guī)定時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通所需柵極驅(qū)動(dòng)電流





圖1