測量CMOS場效應(yīng)管時(shí)的注意事項(xiàng)
(2024/2/9 10:59:00)
N溝道場效應(yīng)管，在制造時(shí)會(huì)產(chǎn)生一個(gè)寄生二極管，源極為正，漏極為負(fù)。
測量時(shí)先將三腳用表筆短路一下，量到有二極管特性的兩極正極是源極，負(fù)極是漏極，第三極即為柵極，將柵極接正，源極接負(fù)，再正接漏極負(fù)接源極，管子應(yīng)導(dǎo)通。再將三腳短路，復(fù)量源柵極應(yīng)不通，不要一量源漏導(dǎo)通了就認(rèn)為管子壞了。另外在路量管時(shí)，一定要放電容余電，不然給柵極一個(gè)導(dǎo)通電壓，管子就報(bào)銷了。因源柵極間電阻可達(dá)十的十次方數(shù)量級(jí)，形成一個(gè)源柵電容，很小、有點(diǎn)電荷就產(chǎn)生較高的電壓，且不會(huì)馬上消失，此時(shí)管子D-S間只要有電壓就會(huì)飽和導(dǎo)通，管子必壞無疑。
