【圖】結型場效應管(J-FET)的特性曲線
(2023/12/18 10:59:00)
結型場效應管(J-FET)的特性曲線
結型場效應管(J-FET)的特性曲線
輸出特性
(4) 擊穿區
擊穿區為圖3.4(b)中最右側的部分，表示為升高到一定程度后，反向偏置的PN結被擊穿，將急劇增大，若電流過大，管子將被損壞。一般用U(BR)DS來表示它的漏源之間的擊穿電壓。使用器件時，必須保證U DS＜U(BR)DS，以防止器件進入擊穿區。一般U(BR)DS在20～50V之間，且隨UGS的增加而增加，這在使用時應予以注意。
對于P溝道JFET的原理和特性，它與N溝道JFET的主要差別是在于UGS及UDS所需的電壓極性，在P溝道JFET中，UGS＞0，而UDS＜0。器件的原理與特性同學們可以自行分析。
結型場效應管(J-FET)的特性曲線
輸出特性
(4) 擊穿區
擊穿區為圖3.4(b)中最右側的部分，表示為升高到一定程度后，反向偏置的PN結被擊穿，將急劇增大，若電流過大，管子將被損壞。一般用U(BR)DS來表示它的漏源之間的擊穿電壓。使用器件時，必須保證U DS＜U(BR)DS，以防止器件進入擊穿區。一般U(BR)DS在20～50V之間，且隨UGS的增加而增加，這在使用時應予以注意。
對于P溝道JFET的原理和特性，它與N溝道JFET的主要差別是在于UGS及UDS所需的電壓極性，在P溝道JFET中，UGS＞0，而UDS＜0。器件的原理與特性同學們可以自行分析。
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