【圖】雪崩光電二極管(APD)結構及原理
(2023/11/20 11:00:00)
雪崩光電二極管(APD)結構及原理
雪崩光電二極管(APD)結構及原理
當耗盡區中的場強達到足夠大（~3*1O^5V/cm）時，光生載流子將被加速到很高的速度，在運動過程中與晶格中的原子碰撞時會使之電離，產
生額外的電子空穴對。這些新生電子和空穴也被加速，發生新的碰撞和電離，產生更多的電子一空穴對。這個物理過程稱為雪崩效應，它倍增 了一次光電流，使之得到放大。由于倍增過程是隨機產生的，倍增增益就取統計平均值。＜g>=G。倍增增益與許多因素有關，如載流子電
離系數，雪崩區的寬度以及反向偏壓的高低等。
雪崩光電二極管(APD)結構及原理
當耗盡區中的場強達到足夠大（~3*1O^5V/cm）時，光生載流子將被加速到很高的速度，在運動過程中與晶格中的原子碰撞時會使之電離，產
生額外的電子空穴對。這些新生電子和空穴也被加速，發生新的碰撞和電離，產生更多的電子一空穴對。這個物理過程稱為雪崩效應，它倍增 了一次光電流，使之得到放大。由于倍增過程是隨機產生的，倍增增益就取統計平均值。＜g>=G。倍增增益與許多因素有關，如載流子電
離系數，雪崩區的寬度以及反向偏壓的高低等。
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