今天看到一電路圖，發(fā)現(xiàn)mos管GS端并聯(lián)了一個(gè)10k電阻，查了下大概是如下敘述：
1. 防靜電損壞MOS（看到個(gè)理由是這么說的：由于結(jié)電容比較小根據(jù)公式U=Q/C，所以較小的Q也會(huì)導(dǎo)致較大的電壓，導(dǎo)致mos管壞掉）
2.提供固定偏置，在前級(jí)電路開路時(shí)，這個(gè)較小的電阻可以保證MOS有效的關(guān)斷（理由：G極開路，當(dāng)電壓加在DS端時(shí)候，會(huì)對(duì)Cgd充電，導(dǎo)致G極電壓升高，不能有效關(guān)斷）
3.下面還有就是對(duì)電阻大小的解釋，如果太小了，驅(qū)動(dòng)電流就會(huì)大，驅(qū)動(dòng)功率增加；如果太大，MOS的關(guān)斷時(shí)間會(huì)增大；
我的疑問是：
1.上面三點(diǎn)說的都正確嗎？理由解釋的正確與否；
2.如果理由正確的話，為什么2中對(duì)Cgd充電，G極電壓升高，而不是順便對(duì)Cgs充電；
3.如果3中電阻太大，mos管關(guān)斷時(shí)間會(huì)增大的解釋正確的話，那么如果這個(gè)并聯(lián)電阻不加的話，那關(guān)斷時(shí)候的電荷怎么泄放，MOS的關(guān)斷時(shí)間不是很長(zhǎng)了？
網(wǎng)友評(píng)論：說防靜電沒錯(cuò)，如果沒這個(gè)電阻，外界的電荷就會(huì)“電容”上感應(yīng)出電壓，電壓一高，就會(huì)損壞，
有電阻的話，電壓就升不到那么快，也沒那么高。
談的元 發(fā)表于 2011-3-6 21:45
靜電的電流頻譜是相當(dāng)高的，這些電荷絕大多數(shù)都給mosfet柵極電容充電了，電阻流過的電流很小，不能使電壓上升速度變慢。不過這個(gè)電阻可以“慢慢”泄放電荷，防止靜電積累。
