(2023/11/24 18:00:00)
雙積分式AD轉換器的轉換原理雙積分式AD轉換器的轉換原理這種轉換實際上是一種V/T（電壓／時間）的轉換。典型的雙積分式AD轉換器的基本組成可以用圖5.2表示，它的一次轉換基本工作原理可以分成三個工作階段來描述。第一階段Tl：模擬開關Sl導通，其余各模擬開關斷開，此階段為對輸入電壓積分采樣階段。通常，...
(2023/11/24 11:00:00)
逐次逼近式AD轉換器原理逐次逼近式AD轉換器原理圖5.4是逐次逼近式AD轉換器結構框圖，一般由電壓比較器Nl、DA轉換器、控制邏輯、移位寄存器和輸出鎖存器等組成。它的工作過程是這樣的：當出現啟動脈沖時，移位寄存器和鎖存器全清為零，故DA輸出也為零。當第一個時鐘脈沖到達時，最高位移位寄存器被置成1，這...
(2023/11/24 7:00:00)
二進制斜坡式AD轉換器原理二進制斜坡式AD轉換器原理二進制斜坡式AD轉換器的基本電路如圖5.5所示。它由DA轉換器、二進制計數器、控制門、比較器和控制邏輯等部分組成。其中，DA轉換器可以是二進制加權電阻網絡，也可以是T型R-2R網絡（圖中為后者），其輸出可以是電流，也可以是電壓（圖中表示為電壓輸出）...
(2023/11/23 18:00:00)
并行比較式AD轉換器原理并行比較式AD轉換器原理并行比較式AD轉換器電路的基本組成如圖5.6所示。這種電路結構，n位的AD轉換器需要用2^n+1個電阻串聯組成分壓器，上、下兩端兩個電阻的阻值為側2，其余2^n-1個電阻的阻值均為R，分壓器上加參考電壓VR。顯然，除了上、下 兩端的兩個電阻以外，其余各...
(2023/11/23 11:00:00)
鎖相環噪聲與干擾的主要來源鎖相環噪聲與干擾的主要來源噪聲與干擾的作用于環路，會增加捕獲的困難，降低跟蹤性能，使輸出的相位做隨機的抖動。較強的干擾與噪聲，將使環路發生跳周，失鎖的 可能性增大。下面主要介紹兩種噪聲：相加噪聲和振蕩器內部噪聲對環路的影響。 環路等效噪聲帶寬( 2 ）采用 RC 積分濾波器...
(2023/11/23 7:00:00)
典型RC正弦波振蕩器電路原理典型 RC 正弦波振蕩器電路原理采用 LC 器件作為振蕩電路的反饋網絡可以達到很高的輸出頻率，器件比較容易實現小體積。但當要求振蕩器輸出幾十或者幾百赫茲的信號時. LC 器件的器件取值將會很大，很難實現實用的產品，此時采用 RC 選頻網絡就會有很大的優勢。 RC 反饋振...
(2023/11/22 17:59:00)
哈特萊(Hartley)振蕩電路原理電感分壓反饋型正弦波振蕩電路/哈特萊(Hartley)電路原理電感分壓反饋型正弦波振蕩電路也叫哈特萊（Hartley）電路。如圖8.5(a)所示，其交流簡化電路如圖8.5(b)所示。參看圖8.5(b)，由晶體三極管和L1、L2、C構成的諧振回路組成一個具有正反饋的...
(2023/11/22 11:00:00)
考比茲(Copitts)振蕩電路原理電容分壓反饋型正弦波振蕩器/考比茲(Copitts)電路原理電容分壓反饋型電路，也稱“考比茲”（Copitts）電路，如圖8.6(a)所示，圖8.6(b)是其交流簡化電路。可以看出，它的基本結構與電感反饋型振蕩器一樣，只是將LC并聯諧振回路...
(2023/11/22 7:00:00)
VMOSFET內部結構及原理VMOSFET內部結構及原理MOS 器件在剛開始階段一直用于小功率電路，自從 VMOS 技術被移植到 MOS 功率器件后，使得半導體功率器件得到很大突破： MOSFET 雖然漏極電流可達到數安培，漏源電壓也可達到 IOOV 以上，但由于漏源導通電阻大、頻率特性差、硅片面...
(2023/11/21 18:00:00)
增強型MOS管結構及原理增強型MOS管結構及原理MOS管部分（ Metal oxide Semiconductor Field Effection Transistor ) MOS-FET 從本質上看來也屬于“多子”器件，但從控制機理上說來它又不同于 J-FET 。 MOS...
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