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TK560A65Y,S4X

廠家:
  Toshiba Semiconductor and Storage
封裝:
 TO-220SIS
數(shù)量:
 3999  
說明:
 MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS
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TK560A65Y,S4X-TO-220SIS圖片

TK560A65Y,S4X PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
:150°C(TJ)
功率耗散(最大值):30W
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):380 pF @ 300 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):14.5 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 240μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):560 毫歐 @ 3.5A,10V
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):7A(Tc)
漏源電壓(Vdss):650 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:DTMOSV
系列:管件
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

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