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TK58A06N1,S4X

廠家:
  Toshiba Semiconductor and Storage
封裝:
 TO-220SIS
數量:
 3430  
說明:
 MOSFET N-CH 60V 58A TO220SIS
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TK58A06N1,S4X-TO-220SIS圖片

TK58A06N1,S4X PDF參數資料

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中文參數如下:
:150°C(TJ)
功率耗散(最大值):35W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):3400 pF @ 30 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):46 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 500μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):5.4 毫歐 @ 29A,10V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):58A(Tc)
漏源電壓(Vdss):60 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產品狀態:在售
包裝:U-MOSVIII-H
系列:管件
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

以上是TK58A06N1,S4X的詳細信息,包括TK58A06N1,S4X廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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