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SQD50N03-06P-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-252
數(shù)量：: 2814
說明：: MOSFET 30V 84A 88W 6.5mohm @ 10V

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SQD50N03-06P-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：30 ns
工廠包裝數(shù)量：2000
上升時(shí)間：12 ns
功率耗散：8.3 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：10 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.006 Ohms
漏極連續(xù)電流：50 A
閘/源擊穿電壓：+/- 120 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQD50N03-06P-GE3的詳細(xì)信息，包括SQD50N03-06P-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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