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SQD50N06-07L-GE3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 TO-252
數量：
 2268  
說明：
 MOSFET 60V 50A 136W N-Ch Automotive
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SQD50N06-07L-GE3-TO-252圖片

SQD50N06-07L-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

功率耗散：136 W
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0076 Ohms
漏極連續電流：50 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQD50N06-07L-GE3的詳細信息，包括SQD50N06-07L-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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