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SQD50P04-09L-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-252
數(shù)量：: 2286
說明：: MOSFET 40V 50A 136W P-Ch Automotive

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SQD50P04-09L-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：61 nS
上升時間：15 nS
功率耗散：136 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：103 nC
下降時間：19 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0094 Ohms
漏極連續(xù)電流：- 50 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 40 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQD50P04-09L-GE3的詳細(xì)信息，包括SQD50P04-09L-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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