色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

SQD50N03-09-GE3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 TO-252
數(shù)量：
 2250  
說明：
 MOSFET 30V 62A 7.1W 10mohm @ 10V
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
暫無電子元件圖

SQD50N03-09-GE3 PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：30 ns
工廠包裝數(shù)量：2000
上升時間：160 ns
功率耗散：8.3 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：55 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.01 Ohms
漏極連續(xù)電流：62 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQD50N03-09-GE3的詳細信息，包括SQD50N03-09-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

相近型號推薦

IC電子元件郵購步驟

最新產(chǎn)品列表 IC
主站蜘蛛池模板： 满洲里市| 昭觉县| 信丰县| 葫芦岛市| 汉阴县| 元阳县| 扶余县| 景东| 遂昌县| 宣汉县| 襄城县| 伊金霍洛旗| 大荔县| 通渭县| 柘荣县| 安达市| 交口县| 托克逊县| 明溪县| 缙云县| 德钦县| 河南省| 连州市| 台安县| 梅州市| 甘谷县| 武功县| 清水河县| 九寨沟县| 剑河县| 三门县| 页游| 嘉义县| 威远县| 双流县| 永福县| 睢宁县| 潍坊市| 建阳市| 十堰市| 湖北省|