色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SPB100N03S2L03T

SPB100N03S2L03T

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO263-3-2
數(shù)量：: 1098
說明：: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

一、本商品被瀏覽0次.

SPB100N03S2L03T PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C2.7毫歐 @ 80A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
Id 時的 Vgs(th)（最大）2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs220nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C100A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 8180pF @ 25V
功率 - 最大300W
安裝類型表面貼裝

以上是SPB100N03S2L03T的詳細信息，包括SPB100N03S2L03T廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：