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SPB100N03S2L03T

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO263-3-2
數量：: 1098
說明：: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

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SPB100N03S2L03T PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C2.7毫歐 @ 80A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
Id 時的 Vgs(th)（最大）2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs220nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C100A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 8180pF @ 25V
功率 - 最大300W
安裝類型表面貼裝

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