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SPB100N06S2L-05

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數量:
 1125  
說明:
 MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
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SPB100N06S2L-05 PDF參數資料

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中文參數如下:
FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.4毫歐 @ 80A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)55V
Id 時的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs230nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C100A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 7530pF @ 25V
功率 - 最大300W
安裝類型表面貼裝

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