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SPB10N10 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數(shù)量：: 1161
說明：: MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK

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SPB10N10 G-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

SPB10N10 G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點標準型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C170 毫歐 @ 7.8A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)100V
Id 時的 Vgs(th)（最大）4V @ 21µA
閘電荷(Qg) @ Vgs19.4nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C10.3A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 426pF @ 25V
功率 - 最大50W
安裝類型表面貼裝

以上是SPB10N10 G的詳細信息，包括SPB10N10 G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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