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SIR890DP-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SO-8
數(shù)量:
 3150  
說明:
 MOSFET 20V 50A 50W 2.9mohm @ 10V
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SIR890DP-T1-GE3-PowerPAK? SO-8圖片

SIR890DP-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:SIR890DP-GE3
典型關(guān)閉延遲時間:40 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
上升時間:18 ns
功率耗散:5 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :50 S
下降時間:25 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK SO-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.0033 Ohms
漏極連續(xù)電流:50 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIR890DP-T1-GE3的詳細(xì)信息,包括SIR890DP-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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