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SIRA12DP-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SO-8
數量:
 3132  
說明:
 MOSFET 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch G-IV
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SIRA12DP-T1-GE3-PowerPAK? SO-8圖片

SIRA12DP-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SIRA12DP-GE3
功率耗散:31 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK SO-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):4.3 mOhms at 10 V
漏極連續電流:25 A
閘/源擊穿電壓:2.2 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIRA12DP-T1-GE3的詳細信息,包括SIRA12DP-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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