色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

SIRA12DP-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SO-8
數量:
 3132  
說明:
 MOSFET 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch G-IV
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
SIRA12DP-T1-GE3-PowerPAK? SO-8圖片

SIRA12DP-T1-GE3 PDF參數資料

PDF點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:

零件號別名:SIRA12DP-GE3
功率耗散:31 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK SO-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):4.3 mOhms at 10 V
漏極連續電流:25 A
閘/源擊穿電壓:2.2 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIRA12DP-T1-GE3的詳細信息,包括SIRA12DP-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

相近型號推薦

IC電子元件郵購步驟

最新產品列表 IC
主站蜘蛛池模板: 许昌市| 兴山县| 靖江市| 寻甸| 塔河县| 乌拉特前旗| 文山县| 平武县| 庄浪县| 松阳县| 清河县| 焉耆| 和田县| 福建省| 黑龙江省| 石屏县| 渑池县| 夏河县| 邛崃市| 元阳县| 彰化县| 桑植县| 巴林左旗| 绥化市| 榆社县| 雅江县| 呈贡县| 龙游县| 馆陶县| 太原市| 盐津县| 确山县| 临海市| 两当县| 荥阳市| 牟定县| 沾化县| 洛南县| 松江区| 宁都县| 乌拉特中旗|